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ERM-EG001 硅中注入的銻(Sb原子的面密度、同位素?cái)?shù)量比)

發(fā)布時(shí)間: 2023-10-25  點(diǎn)擊次數(shù): 624次

ERM-EG001 硅中注入的銻(Sb原子的面密度、同位素?cái)?shù)量比)

        該樣品是一個(gè)10毫米×10毫米的硅片,具有熱生長(zhǎng)的表面氧化物層和注入能量為400keV的Sb離子。

品牌:IRMM標(biāo)準(zhǔn)品/ERM標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)

CRM code(貨號(hào)):ERM-EG001

Description:ANTIMONY IMPLANTED IN SILICON (areal density of Sb atoms, isotope amount ratio)

描述:硅中注入的銻(Sb原子的面密度、同位素?cái)?shù)量比)

Net mass(產(chǎn)品規(guī)格):1.5g

ERM-EG001.jpg

ERM-EG001 硅中注入的銻(Sb原子的面密度、同位素?cái)?shù)量比)

       使用說明:

       Sb原子的面密度的認(rèn)證值適用于尺寸小于0.15 mm2的芯片表面部分。如果使用較小的尺寸進(jìn)行分析,則必須分析足夠數(shù)量的不同位置,以確保具有代表性的采樣。CRM的植入側(cè)是拋光的、反射的一側(cè)。參考材料不得加熱至150°C以上。

       儲(chǔ)存方法:材料應(yīng)在干燥清潔的環(huán)境中儲(chǔ)存在環(huán)境條件下。歐盟委員會(huì)不對(duì)材料在客戶場(chǎng)所儲(chǔ)存期間發(fā)生的變化負(fù)責(zé),尤其是打開的樣品。



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